Компания Samsung Electronics анонсировала начало разработки памяти DDR5. В создании памяти будет использована технология High-K Metal Gate (HKMG). В HKMG используются диэлектрики с высокой диэлектрической постоянной. Компания предлагает модуль DDR5 с объемом 512 гигабайт. В модуле соединены 8 слоев DRAM объёмом 16 ГБ, это сделано с помощью Through-Silicon Vias. Новый модуль сможет обеспечивать скорость в 7 200 Мбит/с, показатели формата DDR4 вдвое меньше. Новинка может быть с успехом использована при создании суперкомпьютеров или в машинном обучении ИИ.
