Компания Sony показала новый тип многослойного CMOS-сенсора, в котором использованы «двухслойные транзисторные пиксели» для удвоения светосилы. Типичные датчики изображения обладают светочувствительными фотодиодами и пиксельными транзисторами, управляющими и усиливающими сигнал на одном и том же слое.
Но в новом дизайне фотодиоды располагаются сверху, а пиксельные транзисторы — снизу, что по мнению Sony «примерно вдвое увеличивает уровень сигнала насыщения». Компания первой создала многослойные датчики, размещающие быструю память и прочую электронику непосредственно под датчиком, что дает более быструю скорость считывания и вследствие этого быструю серийную съемку, а также уменьшение скорости затвора (эффект желе) на камерах и мобильных устройствах.
В данном передовом датчике использована такая же идея, однако пиксельные транзисторы размещаются на отдельной подложке под слоем фотодиода. Это свидетельствует о том, что каждый слой можно оптимизировать, что дает возможность Sony удвоить светонасыщенность сенсора или число заряда, которое может удерживать каждый пиксель.
В свою очередь, это дает возможность примерно в два раза увеличить светосилу. За счёт удвоенной способности собирать свет, новый датчик даст возможность существенно улучшить светочувствительность даже в относительно малых датчиках с высоким разрешением. Sony пока не сообщила, когда данная технология появится в телефонах или фотоаппаратах, однако по всей вероятности это произойдет в ближайшее время, может даже в следующем году.
