Память HBM3E от SK Hynix положила начало появлению нового конкурента — Micron. Micron Technology заявила, что новый HBM3E также может достигать скорости 1,2 ТБ/с, и уже поставила образцы таким клиентам, как NVIDIA. Первые заказы могут быть размещены уже в следующем году.
Память Micron HBM3E имеет восьмиуровневую компоновку, каждый стек имеет размер 24 ГБ, производится по технологии 1β и имеет отличную производительность.
В Micron заявили, что ее память HBM3E обеспечит тот же уровень производительности, что и конкуренты, но ее стоимость будет ниже, чем у других конкурентов. Micron заявила, что начнет коммерческие поставки в следующем году и в настоящее время добивается сертификации продуктов на соответствие требованиям Nvidia.
HBM (High Bandwidth Memory) означает вертикальное соединение нескольких DRAM, что может значительно увеличить скорость обработки данных. Продуктами HBM DRAM называются HBM (первое поколение), HBM2 (второе поколение), HBM2E (третье поколение), HBM3 (четвертое поколение), HBM3E (пятое поколение) последовательной разработки. HBM3E — это расширенная версия HBM3.
