Компания Samsung скоро запустит процесс SF1.4 (1,4 нм), а количество нанолистов будет увеличено с 3 до 4. ожидается значительное улучшение производительности и энергопотребления.
Увеличение количества нанолистов на транзистор позволяет увеличить производительность. Кроме того, большее количество нанолистов позволяет лучше контролировать ток, что помогает уменьшить ток утечки и, следовательно, снизить энергопотребление. Кроме того, улучшенный контроль тока означает, что транзисторы выделяют меньше тепла, что повышает энергоэффективность.
Samsung также планирует использовать технологию заднего источника питания (BSPDN) в 1,4-нм техпроцессе, чтобы лучше раскрыть потенциал пространства на задней стороне пластины. Хотя полупроводниковая промышленность больше не использует длину затвора и полушаг металла для систематического обозначения технологических узлов, нет сомнений в том, что нынешняя технология более совершенна.
Поскольку путь сокращения полупроводникового процесса продолжает развиваться, расстояние между цепями в интегральных схемах также постоянно сужается, вызывая помехи друг другу. Технология BSPDN может преодолеть это ограничение.
