Представители корейской корпорации Samsung, в ходе мероприятия HotChips 33, раскрыли подробную информацию о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены еще в марте текущего года.
В основе этих модулей лежат восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них имеется 8 кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память лучше предыдущей версии DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему.
Стоит отметить, что функционируя, при напряжении питания всего 1,1 В, оперативная память потребляет на 13% меньше электроэнергии.
Представители Samsung считают, что массовый рынок сможет перейти от DDR4 к DDR5 не раньше, чем 2023 или даже 2024 года. Ситуация обусловлена более высокой стоимостью. Ни для кого не будет секретом, что первыми на DDR5 смогут перейти суперкомпьютеры и серверы.
В компании также подтвердили, что поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ начнутся уже в конце 2021 года.
