Samsung объявила о начале массового производства 14-нм DRAM с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). В марте 2020 года компания разработала первую EUV DRAM – это самый передовой техпроцесс в отрасли. С тех пор количество слоев, сформированных с помощью EUV, увеличилось до пяти.
Технология обеспечивает самую высокую плотность хранения, доступную в настоящее время, примерно на 20% больше памяти на каждом диске. Кроме того, 14-нм техпроцесс может помочь снизить энергопотребление до 20% по сравнению с предыдущим поколением.
По заявлению Samsung, новая память поможет достичь максимальной скорости до 7,2 Гбит / с, что более чем вдвое превышает максимальную скорость DDR4, которая составляет 3,2 Гбит / с. Samsung планирует выпустить новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, Samsung рассчитывает увеличить плотность чипов 14-нм DRAM до 24 Гб, чтобы лучше выполнять быстро растущие потребности глобальных ИТ-систем в данных.
