SK hynix официально анонсировала первую в мире 238-слойную флэш-память TLC 4D NAND, которая будет запущена в массовое производство в первой половине следующего года. Теперь SK hynix официально представила новую память.
Согласно сообщениям, 238-слойная флэш-память NAND от SK Hynix имеет самую маленькую площадь в мире и самое большое в отрасли количество слоев стека.
96-слойная флэш-память NAND, разработанная SK Hynix в 2018 году, превзошла традиционный метод 3D и представила метод 4D. Для успешной разработки чипа с 4D-архитектурой компания внедрила технологию улавливания заряда (CTF, Charge Trap Flash) и технологию PUC (Peri. Under Cell). По сравнению с 3D-методом 4D-архитектура имеет преимущества меньшей площади и более высокой эффективности производства.
По словам официальных лиц, новый продукт имеет более высокую плотность на единицу площади, а его меньшая площадь позволяет производить больше микросхем на кремниевой пластине того же размера, поэтому эффективность его производства также повышается на 34% по сравнению со 176-слойной флэш-памятью NAND.
Кроме того, скорость передачи данных 238-слойной флэш-памяти NAND составляет 2,4 Гбит/с, что на 50 % выше, чем у предыдущего поколения, а энергопотребление чипа при чтении данных также снижено на 21 %.
SK Hynix планирует сначала поставлять 238-слойную флэш-память NAND для cSSD, а затем постепенно расширять сферу импорта на смартфоны и серверные твердотельные накопители большой емкости. В следующем году SK Hynix также выпустит новую 238-слойную флэш-память NAND емкостью 1 ТБ.
