В ИПФ РАН создают литограф для выпуска чипов с топологией 7 нм


В России началась работа над первой отечественной установки литографии для производства микроэлектроники по современным технологическим процессам. Разработкой установки занимаются сотрудники Института прикладной физики Российской академии наук.

На данный момент удалось создать первый образец установки, который максимально приближен к реальному прототипу. На данном образце получены отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм. Сейчас в России в промышленных масштабах могут работать с микроструктурами только более 65 нанометров (в основном 90 нм и более). Тем не менее пока говорить о грандиозном прорыве немного рано — нужно пройти три этапа разработки за 6 лет до появления полноценного промышленного оборудования.

До 2024 года должна появиться альфа-версия установки. Такая версия сможет производить полный цикл всех необходимых операций. Также альфа-версия позволит отработать все процессы производства. На 2026 год планирует произвести бета-версия установки, а уже в 2028 году должна появится полноценная российская установка литографии для производства микроэлектроники.

При этом стоит учесть, что со времён СССР в России нет своего литографического производства, а текущий уровень в 65–90 нм достигнут после приобретения уже ненового иностранного оборудования в конце 2000-х годов.

В ИПФ РАН создают литограф для выпуска чипов с топологией 7 нм

Подписка на FBM.RU в Telegram - удобный способ быть в курсе важных экономических новостей! Подписывайтесь и будьте в центре событий. Подписаться.

Добавьте FBM.ru в избранные новости Добавьте FBM в избранные новости

Оценить новость
( 1 оценка, среднее 4 из 5 )
Андрей Васильев/ автор статьи
FBM.ru - Финансы  Бизнес Маркетинг