Тайваньская компания TSMC сообщила о результатах в разработке 1-нанометровых микросхем. Причём благодаря совместной работе американских и тайваньских учёных компания описала производственный процесс чипов нового поколения.
Изначально импульсом для TSMC стало открытие MIT, где использовали полуметаллический висмут в качестве контактного электрода двумерного материала. Таким образом получилось уменьшить сопротивление, и увеличить ток в структуре. А уже потом разработчики TSMC оптимизировали предложенный процесс осаждения, а ученые из НУТ нашли способ сокращения компонентного канала посредством системы.
Отметим, что новое технологическое решение обеспечивает энергоэффективность на грани физических пределов наноразмерных кремниевых полупроводников. 1-нм чипы также позволят значительно повысить производительность и быстродействие вычислительного оборудования.
Тем не менее о производстве в промышленных масштабах говорить ещё рано. Сначала необходимо провести ряд исследований и технических разработок. И на это, как отмечают специалисты, уйдёт не один год. Между тем, на сегодня передовыми считаются 5-нм чипы, которые совсем недавно стали использовать производители смартфонов класса люкс.
В компании TSMC анонсировали, что массовое производство 3-нм микросхем начнётся со следующего года.
