Производитель Samsung первым в мире реализовал процесс вычислений в оперативной памяти MRAM. Компания сумела то, что не удавалось никому. Магниторезистивная оперативная память обладает потенциалом заменить привычную DRAM, имея большое количество преимуществ. Но когда дело доходит до вычислений непосредственно в памяти, имеется несколько проблем.
Как говорится в исследовании научных специалистов Samsung, разработка массива магниторезистивной памяти с произвольным доступом с передачей спинового момента остается непростой задачей, невзирая на практические преимущества технологии. Сложность обусловлена низким сопротивлением MRAM, что привело бы к значительному энергопотреблению в стандартном матричном массиве, который использует суммирование тока для аналоговых операций умножения-накопления.
Компания разработала массив перемычек 64×64, который основан на ячейках MRAM, преодолевший проблему низкого сопротивления за счёт архитектуры, использующей суммирование сопротивлений для аналоговых операций умножения-накопления. Массив сочетается со считывающей электроникой на основе 28-нанометровой технологии КМОП.
Применяя данный массив, реализовали двухуровневый перцептрон для классификации 10 000 рукописных цифр с точностью 93,23 процента. В эмуляции более глубокой 8-слойной нейронной сети Visual Geometry Group-8 с измеренными ошибками точность классификации возрастает до 98,86 процента. Также компания использовала массив для реализации одного слоя в 10-слойной нейронной сети, и в задаче распознавания лиц достигли точность 93,4 процента.
Разработка Samsung может дать возможность использовать вычисления в памяти MRAM для создания искусственного интеллекта, в том числе в качестве платформы для имитации мозга посредством моделирования связей синапсов мозга.
