Открыт прежде неизвестный эффект увеличения концентрации носителей заряда в полупроводниках при исследовании оксида галлия. Работу проделали представители ННГУ в составе научного коллектива.
Новое знание важно для создания приборов следующего поколения для силовой электроники и других отраслей техники, пишет Applied Physics Letters.
Авторы научной работы выявили, что при температурной обработке кристалла β-Ga2O3, в который путем ионного внедрения добавлены атомы кремния, фиксируется аномально большой рост количества электронов, который превышает количество атомов кремния.
“При температуре отжига 800°C происходит практически полная активация примеси кремния в кристалле β-Ga2O3, то есть, число добавленных электронов проводимости становится почти равным числу внедренных атомов кремния. При дальнейшем увеличении температуры отжига концентрация электронов продолжает расти. Мы предполагаем, что во время отжига в кристалле появляются дефектные центры, дающие “лишние” электроны”, – поведали ученые.
Они добавили, что у коллектива получилось не только достичь достаточной для создания электрических приборов концентрации электронов, но и превысить ее за счет специфики происходящих при имплантации процессов.
Ученые предполагают, что полученные фундаментальные знания послужат отправной точкой при создании приборов нового поколения для силовой электроники и не только.
