Эксперты НИЯУ МИФИ изучили особенности фотогенерации (образования подвижных электронов и дырок при поглощении квантов света) в органических полупроводниках и описали, как ее действенность меняется от температуры. Об этом пишет журнал The Journal of Physical Chemistry Letters.
Отмечено, что в неупорядоченных органических полупроводниках поглощение фотона приводит к образованию пар, в которых электрон и дырка разделены в пространстве, но связаны кулоновским взаимодействием (т.н. “геминальные пары”).
В НИЯУ МИФИ создана аналитическая модель, объясняющая слабую зависимость вероятности разделения геминальных пар от температуры, в согласии с опытом и данными моделирования Монте-Карло.
По словам экспертов, диффузия сильно неравновесных («горячих») носителей заряда аномально сильна и слабо зависит от температуры на начальном интервале времени после образования пары вследствие энергетического беспорядка.
«У нас получилось оценить главный параметр модели – начальное разделение пары – зависящее от свойств материала», – заявили ученые, добавив, что прежде исследователи определяли его только методом подгонки под экспериментальные данные
В заключение специалисты рассказали, что результаты работы помогут смоделировать фотогенерацию носителей заряда в органических полупроводниках, чтобы увеличить ее эффективность.
