В журнале Science опубликована статья. в которой рассказывается о создании инженерами из Калифорнийского университета тончайшего сегнетоэлектрика. Сегнетоэлектрики используются для снижения мощности, потребляемой сверхмалыми электронными устройствами. Для этих веществ характерна спонтанная поляризация, которую можно изменять внешним напряжением. Это открытие сулит новые перспективы для микроэлектроники с ультранизким энергопотреблением.
Проблема заключается в том, что такие устройства могут работать только при толщине менее нескольких нанометров. Если сегнетоэлектрики становятся толще, они теряют необходимые свойства и становятся несовместимыми с современной кремниевой технологией.
Сегнетоэлектрики, созданные американскими учеными, толще в 200 000 раз. Исследователи обнаружили стабильное сегнетоэлектричество в ультратонком слое диоксида циркония толщиной всего 1/2 нанометра.
В ходе эксперимента инженеры выращивали этот материал непосредственно на кремнии и переключали поляризацию в обоих направлениях с помощью небольшого напряжения. Таким образом, исследователи продемонстрировали самую тонкую рабочую память, когда-либо созданную для кремния.
