Учёные из лаборатории Беркли и Калифорнийского университета Соединённых Штатов разработали двумерный магнит толщиной в один атом. По мнению специалистов, он будет способствовать развитию новых приложений в вычислительной технике и электронике.
Сообщается, что данная технология, работающая при комнатной температуре, приведёт к созданию компактных устройств спинтронной памяти высокой плотности, а также новых инструментов для изучения квантовой физики.
Известно, что магнитный компонент современных запоминающих устройств обычно состоит из тонких магнитных пленок. Но на атомном уровне эти материалы все еще трехмерны — толщиной в сотни или тысячи атомов. В течение длительного периода времени учёные работали над поисками способов сделать 2D-магниты значительнее тоньше и меньше, чтобы можно было хранить данные с гораздо более высокой плотностью.
Ранние достижения в области 2D-магнитных материалов открыли новые перспективы, но эти первые 2D-магниты со временем теряют свой магнетизм и становятся химически нестабильными при комнатной температуре.
Исследователи синтезировали новый 2-D магнит — называемый кобальто-легированным ван-дер — ваальсовым цинк-оксидным магнитом — из раствора оксида графена, цинка и кобальта. Всего за несколько часов выпечки в обычной лабораторной печи смесь превратилась в одноатомный слой оксида цинка с небольшим количеством атомов кобальта, зажатых между слоями графена. На последнем этапе графен сжигается, оставляя после себя только один атомный слой легированного кобальтом оксида цинка.
Таким образом, у нового ультратонкого магнита, по мнению учёных, многообещающее будущее в создании устройств памяти следующего поколения, вычислениях, спинтронике и квантовой физике.
Подробнее об этом можно прочитать в журнале Nature Communications.
