Учёным из токийского университета Японии удалось решить проблему возникновения физического напряжения в слоях металла на кристаллах кремния при разработке микросхем. Ими разработана технология, позволяющая создавать металлические плёнки на кристаллах без ограничений.
Известно, что напряжение в тонких пленках металла на кристалле кремния со временем в кристаллах вызывало трещины и выход их строя, потому что напряжение можно снять, если при нанесении нагревать металл до определенных температур, но при применении тугоплавких металлов эти температуры становятся настолько высокими, что кристалл кремния их не выдерживает и портится.
А в новой разработке специалисты предлагают технологию импульсного магнетронного осаждения методом распыления без обычной подачи импульса смещения на подложку. Проанализировав процессы осаждения, учёные определили, что импульс смещения необходимо подавать с небольшой задержкой. В данной технологии задержка составила 60 мкс, и этого оказалось достаточно, чтобы создать тонкую вольфрамовую плёнку с рекордно низким напряжением 0,03 ГПа, что обычно достигается только при отжиге.
Специалисты считают, что благодаря разработанной ими технологии, в скором времени будут созданы микросхемы нового поколения и другая электронная продукция, так как метод применим и к другим металлам.
Подробнее об этом можно прочитать на портале EurekAlert.
