Как стало известно порталу FBM.ru – сотрудники лаборатории научного института МФТИ, который находиться в городе Долгопрудный Московской области, вместе с коллегами из Южной Кореи, изучили как влияют дефекты поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти.
Как выяснилось, если увеличивать толщину электрода, то зернистость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно становятся лучше.
Запоминающие устройства на основе переключения сопротивления обладают значительными преимуществами перед теми, что используются в наши дни в 2020 году.
Стало ясно, что напряжение, разность сопротивлений в разных состояниях и другие параметры зависят от вещества находящегося между электродами.
