Ученым НИФТИ ННГУ удалось вырастить полупроводниковые наноструктуры с эффектом спиновой памяти – плотной и энергонезависимой магнитной памяти, которая основывается на квантовых технологиях. Специалистами была создана структуру из сверхтонкого слоя магнитных атомов марганца, находящегося в нескольких нанометрах от полупроводниковой квантовой ямы с арсенидом галлия. Кроме того, они продемонстрировали запись и считывание информации с помощью импульсов поляризованного света. Исследование было опубликовано в научном журнале Physical Review B.
Сообщается, что в современном мире подобные гибридные платформы, сочетающие свойства полупроводникового диода и элемента магнитной памяти, создаются во многих научных российских и мировых центрах, особенно – США и Японии.
Созданная в ННГУ НИФТИ структура имеет высокие характеристики, на уровне лучших существующих образцов. Нижегородским ученым удалось добиться устойчивого эффекта спиновой памяти в наноструктуре с атомарно тонкими слоями магнитных атомов. Такой результат был получен группой профессионалов под руководством Михаила Дорохина, кандидата физико-математических наук.
Отмечается, что получение гибридных структур, содержащих полупроводниковые и магнитные слои, является одним из основных направлений в работе международной команды ученых из НИИ физики и технологии, физического факультета Университета Лобачевского (Нижний Новгород, Россия), Университета Кампинаса и Университета Уберландии (Бразилия).