ТАСС: в Петербурге создадут транзисторы нового поколения для микроэлектроники


Сотрудники ИПМаш РАН в Санкт-Петербурге собираются сделать полупроводники нового поколения для микроэлектроники на основе карбида кремния.

Известно, что данная технология должна предоставить возможность изготавливать подложки из этого материала таких размеров, чтобы из них можно было делать в том числе транзисторы с высокими показателями для связи 5G. Подробнее об этом поведал представитель ИПМаш РАН Сергей Кукушкин.

“В ближайшие три года нам предстоит создавать специальные подложки кубического карбида кремния на кремнии для роста транзисторных гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью носителей заряда”, – сообщил он, добавив, что это будет база для создания микроэлектроники нового поколения, которой нет еще нигде в мире.

Как пишет ТАСС, карбид кремния для микроэлектроники не является новым материалом – подложки из этого материала уже применяются в строительстве электромобилей и не только. Однако потенциал материала, по словам ученых, остается нераскрытым.

Теоретически на его основе можно сделать транзисторы, которые обладали бы сильнейшими свойствами в управлении электрическими сигналами. Для этого подложки должны быть диаметром более 50,8 мм, который остается недостижимым из-за технологических барьеров. Решить эту задачу планируют в ИПМаш РАН.

Добавьте FBM.ru в избранные новости Добавьте FBM в избранные новости



Оценить новость
( 1 оценка, среднее 1 из 5 )
Кристина Михнова/ автор статьи
FBM.ru - Финансы  Бизнес Маркетинг